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零件图片（仅供参考）
FDMC8200S_F106
规格参数
  • 制造商产品型号：FDMC8200S_F106
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：*
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A，8.5A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：660pF @ 15V
  • 功率-最大值：700mW，1W
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerWDFN
  • FDMC8200S_F106，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：FDMC8200S_F106
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询FDMC8200S_F106的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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