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零件图片（仅供参考）
规格参数
制造商产品型号：FDMC6688P制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）描述：MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Ta），56A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.5 毫欧 @ 14A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：61nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7435pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），30W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-PQFN（3.3x3.3），Power33FDMC6688P，安森美（ON）产品一站式供应商。
