FDJ1032C（安森美，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SC75-6 FLMP）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：FDJ1032C

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：PowerTrench

零件状态：停产

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：3.2A，2.8A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 3.2A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：200pF @ 10V

功率-最大值：900mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SC75-6 FLMP

FDJ1032C，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：FDJ1032C

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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