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零件图片（仅供参考）
FDG6332C-F085P
规格参数
  • 制造商产品型号：FDG6332C-F085P
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：DUAL NP MOS SC70-6 20V
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：700mA（Ta），600mA（Ta）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：113pF @ 10V，114pF @ 10V
  • 功率-最大值：300mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • FDG6332C-F085P，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：FDG6332C-F085P
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：DUAL NP MOS SC70-6 20V
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询FDG6332C-F085P的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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