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FDFMA3N109 零件图片(仅供参考)

FDFMA3N109
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FDFMA3N109 规格参数

  • 型号:FDFMA3N109
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:6-MicroFET(2x2)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):123 毫欧 @ 2.9A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):220 pF @ 15 V
  • FET 功能:肖特基二极管(隔离式)
  • 功率耗散(最大值):1.5W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:6-MicroFET(2x2)
  • 封装/外壳:6-VDFN 焊盘
  • FDFMA3N109,ONSEMI(安森美,ON)产品一站式供应商。
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FDFMA3N109 基本参数:

  • 电子零件型号:FDFMA3N109
  • 原始制造厂商:ONSEMI(安森美半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询FDFMA3N109的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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