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FDD6N50TM_WS 零件图片（仅供参考）

FDD6N50TM_WS
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FDD6N50TM_WS 规格参数

  • 制造商产品型号：FDD6N50TM_WS
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
  • 系列：UniFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：900 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9400pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：89W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：D-Pak
  • FDD6N50TM_WS，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
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FDD6N50TM_WS 基本参数：

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