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零件图片（仅供参考）
规格参数
制造商产品型号：FDD306P制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.7A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 6.7A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1290pF @ 6VFET功能：-功率耗散（最大值）：52W（Ta）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252FDD306P，安森美（ON）产品一站式供应商。
