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规格参数
制造商产品型号:FDC6506P制造商:ON Semiconductor描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:PowerTrench?零件状态:停产FET类型:2 个 P 沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):1.8A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):170 毫欧 @ 1.8A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):3.5nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):190pF @ 15V功率-最大值:700mW工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6FDC6506P,安森美(ON)产品一站式供应商。
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