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FDB86366_F085 零件图片（仅供参考）

FDB86366_F085
ONSEMI 订单到达，马上发货

FDB86366_F085 规格参数

  • 制造商产品型号: FDB86366_F085
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
  • 系列: PowerTrench
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 80V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 110A（Tc）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 3.6 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 112nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 6280pF @ 40V
  • 功率 - 最大值: 176W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装: TO-263
  • FDB86366_F085，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
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FDB86366_F085 基本参数：

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