EMZ1DXV6T5G（安森美，晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列，封装：SOT-563，SOT-666）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：EMZ1DXV6T5G

制造商：ON Semiconductor

描述：TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

零件状态：停产

晶体管类型：NPN，PNP

电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA

电压-集射极击穿（最大值）：60V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA

电流-集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：120 @ 1mA，6V

功率-最大值：500mW

频率-跃迁：180MHz，140MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-563，SOT-666

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基本参数：

电子零件型号：EMZ1DXV6T5G

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

产品应用分类：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

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