EMF18XV6T5G（安森美，晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置，封装：SOT-563，SOT-666）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：EMF18XV6T5G

制造商：ON Semiconductor

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

零件状态：有源

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA

电压-集射极击穿（最大值）：50V，60V

电阻器-基极(R1)：47 千欧

电阻器-发射极(R2)：47 千欧

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V / 120 @ 1mA，6V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA

电流-集电极截止（最大值）：500nA

频率-跃迁：140MHz

功率-最大值：500mW

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-563，SOT-666

EMF18XV6T5G，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：EMF18XV6T5G

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

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