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EMD4DXV6T5G 零件图片（仅供参考）

EMD4DXV6T5G
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EMD4DXV6T5G 规格参数

  • 型号:EMD4DXV6T5G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置
  • 描述:TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V
  • 电阻器 - 基极 (R1):47 千欧，10 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 5mA，10V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 300A，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
  • EMD4DXV6T5G，ONSEMI（安森美，ON）产品一站式供应商。
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EMD4DXV6T5G 基本参数：

  • 电子零件型号：EMD4DXV6T5G
  • 原始制造厂商：ONSEMI（安森美半导体）
  • 技术标准参数：TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置
  • 点击此处查询EMD4DXV6T5G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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