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零件图片（仅供参考）
规格参数
制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能总体简述: MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.3A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 224 毫欧 @ 600mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 4.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 100pF @ 10V
功率 - 最大值: 400mW
安装类型: 表面贴装
产品封装: 4-XFDFN
供应商器件封装: 0503（1308 公制）
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基本参数：
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