CPH3324-TL-E（安森美，FET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号: CPH3324-TL-E

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

功能总体简述: MOSFET P-CH 60V 1.2A CPH3

系列: -

FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.2A（Ta）

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 530 毫欧 @ 600mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 6.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 265pF @ 20V

功率 - 最大值: 1W

安装类型: 表面贴装

产品封装: SC-96

供应商器件封装: 3-CPH

CPH3324-TL-E，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：CPH3324-TL-E

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：MOSFET P-CH 60V 1.2A CPH3

产品应用分类：FET - 单

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