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零件图片(仅供参考)
2SK772E-AC
规格参数
  • ON安森美半导体完整型号: 2SK772E-AC
    制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
    功能总体简述: JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA
    系列: -
    FET 类型: N 沟道
    电压 - 击穿(V(BR)GSS): -
    漏源极电压(Vdss): 40V
    不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss): 2.5mA @ 10V
    漏极电流(Id) - 最大值: 20mA
    不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关): -
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 9pF @ 10V
    电阻 - RDS(开): -
    安装类型: 通孔
    产品封装: 3-SIP
    供应商器件封装: 3-SPA
    功率 - 最大值: 300mW
    2SK772E-AC,安森美(ON)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:2SK772E-AC
  • 原始制造厂商:安森美(ONSemi)
  • 技术标准参数:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA
  • 产品应用分类:JFET结点场效应
  • 点击此处查询2SK772E-AC的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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