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IGBT 和 FET | ON安森美 分立器件
IGBT 和 FET
IGBT – N沟道MOSFET – P沟道MOSFET
安森美半导体提供绝缘门双极晶体管(IGBT)，结型场效应晶体管(JFET)，N沟道、P沟道及互补型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及自保护MOSFET。
绝缘门双极晶体管 (IGBT) (33)
绝缘门双极晶体管(IGBT)
安森美半导体提供绝缘门双极晶体管(IGBT)，用于电子点火、闪光、电机驱动及其它大电流开关应用。
JFETs (30)
N沟道和P沟道结场效应管(JFET)
安森美半导体提供结场效应管(JFET)，用于射频(RF)、混频和斩波电路。
MOSFETs (532)
N沟道、P沟道和互补MOSFET
安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，用于电源转换和开关电路。
保护 MOSFETs (18)
SMARTDISCRETES
安森美半导体提供自我保护MOSFET，可能包含限流、限温、ESD保护或电流镜。
安森美官网发布的行业动态（2024年5月18日更新）
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